Законодательство

Распоряжение Президента Российской Федерации от 11.02.1994 № 74-рп "О контроле за экспортом из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники"

Вид документа: Распоряжение
Дата принятия: 11 февраля 1994 г.
Опубликовано: Собрание законодательства Российской Федерации от 21.02.1994, № № 8 от 21 февраля 1994 г.
Источник: Оригинал на pravo.gov.ru

О контроле за экспортом из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники

1. Утвердить представленный Правительством Российской Федерации Перечень отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям (прилагается).

2. Правительству Российской Федерации утвердить Положение о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники.

3. Установить, что коды товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности, указанные в части 1 прилагаемого к настоящему распоряжению Перечня, в случае необходимости могут уточняться Государственным таможенным комитетом Российской Федерации по согласованию с Комиссией по экспортному контролю Российской Федерации при Правительстве Российской Федерации.

4. Признать утратившим силу распоряжение Президента Российской Федерации от 30 июля 1992 г. N 408-рп.

5. Настоящее распоряжение вступает в силу с момента его подписания.

Президент Российской Федерации Б.Ельцин

11 февраля 1994 года N 74-рп ____________________

УТВЕРЖДЕН распоряжением Президента Российской Федерации от 11 февраля 1994 г. N 74-рп

П Е Р Е Ч Е Н Ь отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям

Часть I. Сырье, материалы и оборудование -------------------------------------------------------------------

1. К металлическим сплавам относятся те, которые содержат больший процент (по массе) указанного металла, чем других элементов, за исключением сплавов, содержащих 2 или более процентов драгоценных металлов

2. Металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы, предназначенные для покрытий экспортному контролю не подлежат

I.1.1.

I.1.1.1.

I.1.1.2.

I.1.2.

I.1.2.1.

I.1.2.1.1.

I.1.2.1.2.

I.1.2.2.

I.1.2.2.1.

I.1.2.2.2.

I.1.2.3.

I.1.2.3.1.

I.1.2.3.2.

I.1.2.4.

I.1.2.4.1.

I.1.2.4.2.

I.1.2.5.

I.1.3.

I.1.4.

I.1.4.1.

I.1.4.2.

I.1.4.3.

I.1.4.4.

I.1.5.

I.1.6.

I.1.7.

I.1.8.

I.1.8.1.

I.1.8.2.

I.1.8.3.

I.1.8.4.

I.1.8.5.

I.1.9.

I.1.10.

I.1.10.1.

I.1.10.2.

I.1.10.2.1.

I.1.10.2.2.

I.1.10.3.

Раздел I.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и

I.2.1.

I.2.1.1.

I.2.1.2.

I.2.1.3.

I.2.1.4.

I.2.1.5.

I.2.1.6.

I.2.1.7.

I.2.1.8.

I.2.1.9.

I.2.1.10.

I.2.1.11.

I.2.1.12.

I.2.1.13.

I.2.1.14.

I.2.1.14.1.

I.2.1.14.2.

I.2.1.15.

I.2.1.16.

I.2.1.16.1.

I.2.1.16.2.

I.2.1.16.3.

I.2.1.16.4.

I.2.1.18.

I.2.1.19.

I.2.1.20.

I.2.1.20.1.

I.2.1.20.2.

I.2.1.20.3.

I.2.2.

I.2.2.1.

I.2.2.1.1.

I.2.2.1.2.

I.2.2.1.3.

I.2.2.2.

I.2.2.3.

I.2.2.4.

I.2.3.

I.2.3.1.

I.2.3.2.

I.2.3.3.

I.2.3.4.

I.2.3.5.

I.2.4.

I.2.5.

I.2.6.

I.2.7.

I.2.7.1.

I.2.7.2.

I.2.8.

I.2.9.

I.2.10.

Раздел I.3. Композиционные и керамические материалы I.3.1.

I.3.2.

I.3.3.

I.3.3.1.

I.3.3.2.

I.3.4.

I.3.5.

I.3.6.

I.3.7.

Раздел I.4. Жидкости и смазочные материалы I.4.1.

I.4.1.1.

----------- Примечание: Указанные в пункте I.4.1.1., кремний-углеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод

I.4.1.2.

I.4.2.

I.4.2.1.

I.4.2.2.

I.4.3.

I.4.3.1.

I.4.3.2.

I.4.3.3.

Раздел I.5. Фармацевтические препараты I.5.1.

Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики

I.6.1.

I.6.2.

I.6.3.

I.6.4.

I.6.6.

I.6.7.

I.6.8.

I.6.8.1.

I.6.8.2.

I.6.8.3.

I.6.9.

I.6.9.1.

I.6.9.2.

I.6.9.2.1.

I.6.9.2.2.

I.6.9.2.3.

I.6.9.3.

I.6.9.4.

I.6.9.5.

I.6.9.5 1.

I.6.9.5.2.

I.6.9.6.

I.6.9.7.

I.6.9.8.

I.6.10.

I.6.10.1.

I.6.10.2.

I.6.11.

I.6.11.1.

I.6.11.2.

I.6.11.3.

I.6.11.4.

I.6.12.

I.6.13.

I.6.14.

Раздел I.7. Электротехнические материалы и изделия I.7.1.

I.7.1.1.

I.7.1.1.1.

I.7.1.1.2.

I.7.1.2.

I.7.2.

I.7.2.1.

I.7.2.2.

I.7.2.3.

I.7.3.

I.7.3.1.

I.7.3.2.

I.7.3.3.

I.7.4.

I.7.5.

Раздел I.8. Функциональное оборудование, узлы и детали I.8.1.

I.8.1.1.

I.8.1.1.1.

I.8.1.1.2.

I.8.1.1.3.

1. КСВ - это произведение внутреннего диаметра (калибра) подшипника, измеряемого в миллиметрах, на скорость его вращения, измеряемую в оборотах в минуту

2. Рабочие температуры соответствуют температурам после остановки газотурбинного двигателя

I.8.1.2.

I.8.1.3.

I.8.1.3.1.

I.8.1.3.2.

I.8.1.4.

I.8.1.5.

I.8.1.6.

Раздел I.9. Производственное оборудование, оснастка и приспособления I.9.1.

I.9.1.1.

I.9.1.2.

I.9.1.3.

I.9.2.

I.9.2.1.

точность положения суппорта меньше (лучше), чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения;

повторяемость двунаправленного положения суппорта меньше (лучше), чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения;

биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше), чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания;

угловая девиация движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше), чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении;

перпендикулярность суппорта меньше (лучше), чем 0,001 мм на 300 мм перемещения;

I.9.2.2.

I.9.3.

I.9.3.1.

I.9.3.2.

I.9.4.

I.9.4.1.

процесс модифицирован для одного из следующих методов: пульсирующего осаждения; управляемого термоядерного разложения; осаждения, усиленного плазмой или с помощью плазмы;

используется какой-либо из следующих способов: с внедрением высокого вакуума (равным или менее 0,01 Па) для уплотнения вращением; с внедрением средств контроля толщины слоя покрытия

I.9.4.2.

сила тока луча 5 мА и более;

ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ;

специально спроектированные и оптимизированные для работы с ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ;

обладающие способностью управляемой записи (имплантации в рамках заданной области);

пригодные для имплантации высокоэнергетического кислорода в нагретый материал полупроводниковой подложки

I.9.4.3.

системы электропитания с расчетной мощностью свыше 80 кВт;

лазерную систему управления уровнем жидкости в ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества;

управляемый компьютером указатель (монитор) скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элементов

I.9.4.4.

I.9.4.4.1.

I.9.4.4.2.

I.9.4.5.

I.9.4.6.

I.9.4.7.

I.9.4.8.

I.9.4.8.1.

I.9.4.8.2.

I.9.4.9.

I.9.4.9.1.

I.9.4.9.2.

I.9.5.

I.9.5.1.

I.9.5.2.

I.9.5.2.1.

I.9.5.2.2.

I.9.5.3.

I.9.5.4.

I.9.5.5.

I.9.5.6.

I.9.5.7.

I.9.6.

I.9.7.

I.9.8.

I.9.9.

I.9.10.

I.9.10.1.

I.9.10.2.

I.9.10.3.

Раздел I.10. Датчики, измерительная аппаратура и приборы I.10.1.

I.10.2.

I.10.2.1.

I.10.2.2.

I.10.2.2.1.

-3 I.10.2.2.2. 1*10 нТ, деленные на корень 901580930 квадратный из частоты в Гц-на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц;

-4 I.10.2.2.3. 1*10 нТ, деленные на корень 901580930 квадратный из частоты в Гц-на частоте более 10 ГЦ;

I.10.2.3.

I.10.2.4.

I.10.2.5.

I.10.2.6.

I.10.2.7.

I.10.2.8.

I.10.2.8.1.

I.10.2.8.2.

I.10.2.8.3.

I.10.2.8.4.

I.10.3.

I.10.3.1.

I.10.3.2.

I.10.4.

I.10.4.1.

I.10.4.2.

I.10.5.

I.10.6.

I.10.6.1.

I.10.6.2.

I.10.7.

I.10.7.1.

I.10.7.2.

I.10.8.

I.10.9.

I.10.9.1.

I.10.9.2.

I.10.9.3.

I.10.9.4.

I.10.9.5.

I.10.9.6.

I.10.10.

I.10.10.1.

I.10.10.2.

I.10.11.

I.10.11.1.

I.10.11.1.1.

I.10.11.1.1.1.

I.10.11.1.1.1.1.

I.10.11.1.1.1.2.

I.10.11.1.1.2.

I.10.11.1.1.2.1.

I.10.11.1.1.2.2.

I.10.11.1.1.2.3.

о I.10.11.1.1.2.4. формирование луча уже 1 по любой 901580910 оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;

I.10.11.1.1.2.5.

I.10.11.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под

I.10.11.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент,

I.10.11.1.1.2.5.3. разработанный для измерения

I.10.11.1.1.3.

I.10.11.1.1.3.1.

I.10.11.1.1.3.2.

I.10.11.1.1.3.3.

I.10.11.1.1.3.4.

I.10.11.1.1.4.

I.10.11.1.1.4.1.

I.10.11.1.1.4.2.

I.10.11.1.2.

I.10.11.1.2.1.

I.10.11.1.2.1.1.

I.10.11.1.2.1.2.

I.10.11.1.2.1.2.1. оптоволоконный;

I.10.11.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный;

I.10.11.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из гибкой

I.10.11.1.2.1.3.

I.10.11.1.2.1.4.

I.10.11.1.2.1.5.

I.10.11.1.2.1.6.

I.10.11.1.2.1.7.

I.10.11.1.2.2.

I.10.11.1.2.2.1.

I.10.11.1.2.2.2.

I.10.11.1.2.2.3.

I.10.11.1.2.2.4.

I.10.11.1.2.2.5.

I.10.11.1.2.2.6.

I.10.11.1.2.2.7.

I.10.11.1.2.2.8.

I.10.11.1.2.3.

I.10.11.1.2.3.1.

I.10.11.1.2.3.2.

I.10.11.2.

I.10.11.3.

Раздел I.11. Двигатели и движители, системы и оборудование для них

I.11.1.

I.11.1.1.

I.11.1.1.1.

I.11.1.1.2.

I.11.1.1.3.

I.11.1.1.4.

I.11.1.2.

I.11.1.2.1.

I.11.1.2.2.

I.11.1.2.3.

I.11.1.2.4.

I.11.1.3.

I.11.1.3.1.

I.11.1.3.2.

I.11.2.

I.11.3.

I.11.3.1.

I.11.3.2.

I.11.3.3.

I.11.3.4.

I.11.3.5.

I.11.4.

I.11.4.1.

I.11.4.2.

I.11.4.3.

I.11.4.4.

I.11.4.5.

I.11.5.

I.11.5.1.

I.11.5.2.

I.11.6.

I.11.7.

--------------- Примечание: Экспортный контроль не распространяется на морские газотурбинные двигатели, указанные в пункте I.11.7. и предназначенные для установки на гражданские морские суда для невоенного конечного применения, только в том случае, если их удельный расход топлива превышает 0,23 кг/(кВт*ч), а их уровень мощности меньше 20000 кВт

I.11.8.

I.11.8.1.

I.11.8.2.

I.11.8.3.

I.11.8.4.

I.11.8.5.

I.11.8.6.

I.11.8.7.

I.11.8.8.

I.11.8.9.

I.11.8.10.

I.11.8.10.1

I.11.8.10.2

------------- Примечания:

1. Системы управления геометрией газового потока и системы управления в целом не включают выходные поворотные лопатки, вентиляторы с изменяемым шагом, поворотные статоры или дренажные клапаны для компрессоров

2. По пунктам I.11.8.10.1. и I.11.8.10.2. не подлежат экспортному контролю системы управления геометрией газового потока, осуществляемого с целью реверса тяги

I.11.8.11.

I.11.8.12.

I.11.8.13.

Раздел I.12 Лазеры и оптическое оборудование I.12.1

I.12.1.1.

I.12.1.1.1.

I.12.1.1.2.

I.12.1.1.3.

I.12.1.1.4.

I.12.1.2.

I.12.1.2.1.

I.12.1.2.2.

I.12.1.3.

I.12.1.3.1.

I.12.1.3.2.

I.12.1.3.3.

I.12.1.3.4.

I.12.1.4.

I.12.1.4.1.

-------------- Примечание: Экспортный контроль по пункту I.12.1.4.1. не распространяется на оптические фильтры с постоянным воздушным зазором или фильтры типа Лио

I.12.1.4.2.

I.12.1.4.3.

I.12.1.5.

I.12.1.5.1.

I.12.1.5.2.

I.12.1.5.3.

I.12.1.5.3.1.

I.12.1.5.3.2.

I.12.1.6.

I.12.2.

I.12.2.1.

------------- Примечание: Экспортный контроль по пунктам I.12.2.1.- I.12.2.1.4. не распространяется на германиевые или кремниевые фотодиоды

I.12.2.1.1.

I.12.2.1.1.1.

I.12.2.1.1.2.

I.12.2.1.1.3.

I.12.2.1.2.

I.12.2.1.2.1.

I.12.2.1.2.2.

I.12.2.1.2.2.1.

I.12.2.1.2.2.2.

I.12.2.1.2.2.3.

I.12.2.1.3.

-------------- Примечания:

1. Пункт I.12.2.1.3. включает матрицы фотопроводимости и солнечных батарей

2. Экспортный контроль по пункту I.12.2.1.3 не распространяется на кремниевые матрицы в фокальной плоскости, многоэлементные (не более 16 элементов) фотопроводящие элементы в оболочке или пироэлектрические детекторы, использующие любой из следующих материалов: сульфид свинца; сульфат триглицерина и его разновидности; титанат циркония-лантана-свинца и его разновидности; танталат лития; фторид поливинилидена и его разновидности; ниобат бария-стронция и его варианты; селенид свинца

I.12.2.1.3.1.

I.12.2.1.3.2.

I.12.2.1.3.3.

I.12.2.1.4.

I.12.2.2.

I.12.2.2.1.

I.12.2.2.2.

I.12.2.3.

I.12.2.3.1.

I.12.2.3.2.

-------------- Примечания:

1. Термин "непосредственное наблюдение" относится к аппаратуре получения изображений в видимой и инфракрасной части спектра, которая дает наблюдателю видимое изображение без преобразования в электронный сигнал телевизионного дисплея и не обеспечивает записи или хранения изображения фотографическим, электронным или каким-либо еще способом

2. Экспортный контроль по пункту I.12.2.3.2. не распространяется на следующую аппаратуру с фотокатодами, отличными от фотокатодов на GaAs или GaInAs: промышленные или гражданские датчики охраны, системы учета или контроля дорожного или производственного движения; медицинская аппаратура; промышленная аппаратура для контроля, анализа или сортировки материалов; детекторы пламени для промышленных печей; аппаратура, специально разработанная для промышленного использования

I.12.2.4.

I.12.2.4.1.

I.12.2.4.2.

I.12.2.4.2.1.

I.12.2.4.2.2.

I.12.2.5.

I.12.2.5.1.

I.12.2.5.2.

I.12.3.

I.12.3.1.

I.12.3.1.1.

------------- Примечание: Экспортный контроль по пункту I.12.3.1.1. не распространяется на кинокамеры для гражданских целей

I.12.3.1.2.

I.12.3.1.3.

I.12.3.1.4.

I.12.3.1.5.

I.12.3.2.

------------- Примечание: Экспортный контроль по пункту I.12.3.2. не распространяется на телевизионные и видеокамеры для телевидения

I.12.3.2.1.

6 более 4*10 активных пикселей 852190000 на твердотельную матрицу для монохромной (черно-белой) камеры;

6 более 4*10 активных пикселей на 852190000 твердотельной матрице для цветных камер с тремя твердотельными матрицами;

6 более 12*10 активных пикселей 852190000 для цветных камер с одной твердотельной матрицей

I.12.3.2.2.

I.12.3.2.3.

I.12.3.2.4.

I.12.4.

------------- Примечания:

1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в непрерывном режиме с наложением импульса;

2. Лазеры импульсного возбуждения включают лазеры, работающие в режиме непрерывного возбуждения с наложением импульса;

3. Статус экспортного контроля рамановского лазера определяется параметрами лазера источника накачки. Лазеры источника накачки могут быть любыми из ниже описанных

I.12.4.1.

I.12.4.1.1.

I.12.4.1.1.1.

I.12.4.1.1.2.

I.12.4.1.1.3.

I.12.4.1.1.4.

I.12.4.1.2.

I.12.4.1.2.1.

I.12.4.1.2.2.

I.12.4.1.2.3.

I.12.4.1.2.4.

I.12.4.1.3.

I.12.4.1.3.1.

I.12.4.1.3.2.

I.12.4.1.4.

I.12.4.1.4.1.

I.12.4.1.4.2.

I.12.4.1.4.3.

I.12.4.1.5.

I.12.4.1.5.1.

I.12.4.1.5.2.

I.12.4.1.5.3.

I.12.4.1.5.3.1.

I.12.4.1.5.3.2.

I.12.4.1.6.1.

I.12.4.1.6.2.

I.12.4.1.7.

I.12.4.1.7.1.

I.12.4.1.7.2.

I.12.4.1.7.3.

I.12.4.1.7.4.

I.12.4.2.

-------------- Примечания:

1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами

2. Статус экспортного контроля полупроводниковых лазеров, специально разработанных для другой аппаратуры, определяется статусом этой аппаратуры

I.12.4.2.1.

I.12.4.2.2.

I.12.4.2.2.1.

I.12.4.2.2.2.

I.12.4.2.2.3.

I.12.4.3.

I.12.4.3.1.

--------------- Примечание: Пункт I.12.4.3.1. включает титаново-сапфировые (Ti:Аl 0 ), тулий-YА (Тm:YА), тулий-YS (Тm:YS), александрит 2 3 (Сr:ВеАl 0 ) лазеры и лазеры с окрашенным центром 2 4

I.12.4.3.1.1.

I.12.4.3.1.2.

I.12.4.3.1.3.

I.12.4.3.2.

-------------- Примечание: Пункты I.12.4.3.2.-I.12.4.3.2.4.4. включают твердотельные лазеры на атомных переходах

I.12.4.3.2.1.

I.12.4.3.2.2.

I.12.4.3.2.2.1.

I.12.4.3.2.2.2.

I.12.4.3.2.3.

-------------- Примечание: Лазеры с растворенным неодимом и длиной волны излучения менее 1000 нм или более 1100 нм включены в пункт I.12.4.3.2.4.

I.12.4.3.2.3.1.

I.12.4.3.2.3.2.

I.12.4.3.2.3.2.1.

I.12.4.3.2.3.2.2.

I.12.4.3.2.3.3.

I.12.4.3.2.3.3.1.

I.12.4.3.2.3.3.2.

I.12.4.3.2.3.4.

I.12.4.3.2.3.4.1.

I.12.4.3.2.3.4.2.

I.12.4.3.2.4.

I.12.4.3.2.4.1.

I.12.4.3.2.4.2

I.12.4.3.2.4.3.

I.12.4.3.2.4.3.1.

I.12.4.3.2.4.3.2.

I.12.4.3.2.4.4.

I.12.4.4.

I.12.4.4.1.

I.12.4.4.2.

I.12.4.4.3.

I.12.4.4.4.

I.12.4.5.

I.12.4.6.

I.12.4.6.1.

-------------- Примечание: Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонент, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм от оптической поверхности) оптической компоненты для отвода тепла от оптики

I.12.4.6.2.

I.12.4.7.

I.12.4.7.1.

I.12.4.7.1.1.

I.12.4.7.1.2.

I.12.4.7.2.

I.12.4.7.3.

I.12.4.7.4.

I.12.4.8.

I.12.4.8.1.

I.12.4.8.2.

I.12.5.

I.12.5.1.

I.12.5.1.1.

I.12.5.1.2.

------------ Примечание: Контрольный тест: проверка на стадиях изготовления или после изготовления заключается в приложении заданного напряжения к волокну длиной от 0,5 до 3 м на скорости хода от 2 до 5 м/с при прохождении между ведущими валами приблизительно 150 мм в диаметре. Окружающая температура имеет номинальное значение 293 К о (20 С) и относительная влажность равна 40 %

I.12.5.2.

I.12.5.3.

I.12.5.4.

Раздел I.13. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование

I.13.1.

I.13.1.1.

I.13.1.2.

I.13.1.2.1.

--------------- Примечания:

1. При автономном плавании аппарат полностью погружается без шнорхеля, все системы функционируют и обеспечивают плавание при минимальной скорости, при которой погружение может безопасно управляться (с учетом необходимой динамики по глубине погружения) с использованием только глубинных рулей, без участия надводных судов поддержки или базы (береговой или корабля-матки), аппарат имеет двигательную систему для движения в погруженном или надводном состоянии.

2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки без учета массы экипажа

I.13.1.2.2.

I.13.1.2.3.

-------------- Примечание: Радиус действия равен половине максимального расстояния, которое аппарат может преодолеть в погруженном состоянии

I.13.1.3.

I.13.1.3.1.

I.13.1.3.2.

I.13.1.4.

I.13.1.4.1.

I.13.1.4.2.

I.13.1.4.3.

I.13.1.5.

I.13.1.5.1.

I.13.1.5.2.

I.13.1.6.

I.13.1.7.

I.13.1.8.

I.13.1.9.

I.13.1.9.1.

I.13.1.9.2.

------------- Примечание: Судно на небольшом подводном крыле определяется следующей формулой: площадь этого крыла при известном значении 2/3 водоизмещения при операционной проектной осадке меньше 2*V (где V-водоизмещение при операционной проектной осадке)

I.13.2.

I.13.2.1.

I.13.2.1.1.

I.13.2.1.2.

I.13.2.1.3.

I.13.2.2.

I.13.2.2.1.

I.13.2.2.2.

I.13.2.2.3.

I.13.2.3.

I.13.2.4.

I.13.2.4.1.

I.13.2.4.2.

I.13.2.5.

I.13.2.6.

Раздел I.14. Испытательное оборудование I.14.1.

I.14.2.

I.14.2.1.

I.14.2.2.

I.14.3.

Раздел I.15. Робототехника I.15.1.

I.15.1.1.

I.15.1.2.

I.15.2.

I.15.2.1.

I.15.2.2.

----------- Примечание: При определении количества степеней свободы движения в расчет принимаются только функции, имеющие пропорциональное управление с применением позиционной обратной связи или с применением программного компьютера, обеспеченного библиотекой программ

Раздел I.16. Радиоэлектроника I.16.1.

I.16.1.1.

----------- Примечания:

1. Необходимость экспортного контроля на готовые пластины или полуфабрикаты, на которых воспроизведена конкретная функция, оцениваются по параметрам, указанным в пунктах I.16.1.1.-I.16.1.1.8.2.

2. Понятие "интегральные схемы" включает в себя следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристаллические интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы

I.16.1.1.1.

------------ Примечания:

1. Экспортный контроль по пункту I.16.1.1.1. не распространяется на кремниевые микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие длину операнда (данных) 8 бит и менее

2. Пункт I.16.1.1.1. включает в себя цифровые сигнальные процессоры, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры

I.16.1.1.1.1.

I.16.1.1.1.2.

I.16.1.1.1.3.

-------------- Примечание: Если производительность не определена, следует воспользоваться величиной, обратной средней длительности команды (в микросекундах)

I.16.1.1.1.4.

I.16.1.1.2.

I.16.1.1.2.1.

I.16.1.1.2.2.

I.16.1.1.2.3.

I.16.1.1.3.

I.16.1.1.4.

I.16.1.1.4.1.

I.16.1.1.4.2.

I.16.1.1.5.

I.16.1.1.5.1.

I.16.1.1.5.2.

I.16.1.1.6.

I.16.1.1.7.

I.16.1.1.7.1.

I.16.1.1.7.2.

I.16.1.1.7.3.

I.16.1.1.8.

I.16.1.1.8.1.

I.16.1.1.8.2.

I.16.1.2.

I.16.1.2.1.

-------------- Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.1. не распространяется на лампы, предназначенные для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с частотами, не превышающими 31 ГГц

I.16.1.2.1.1.

I.16.1.2.1.1.1.

I.16.1.2.1.1.2.

I.16.1.2.1.1.3.

I.16.1.2.1.1.4.

I.16.1.2.1.1.4.1.

I.16.1.2.1.1.4.2.

I.16.1.2.1.1.4.3.

I.16.1.2.1.2.

I.16.1.2.1.3.

I.16.1.2.1.3.1.

I.16.1.2.1.3.2.

I.16.1.2.2.

-------------- Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.2. не распространяется на схемы или модули для оборудования, разработанного или пригодного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с частотами, не превышающими 31 ГГц

I.16.1.2.3.

I.16.1.2.4.

I.16.1.2.4.1.

I.16.1.2.4.2.

-------------- Примечания: Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.4. не распространяется на усилители:

1. Специально спроектированные для медицинских целей

2. Специально спроектированные для простых учебных приборов

3. Имеющие выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированные для: промышленных или гражданских систем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц, охранной сигнализации; автодорожных или промышленных систем управления движением и систем подсчета;

систем обнаружения экологичес- кого загрязнения воздуха или воды I.16.1.2.5.

I.16.1.2.6.

I.16.1.2.7.

I.16.1.3.

I.16.1.3.1.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.1.3.1. не распространяется на приборы, специально спроектированные для бытовой электроники или развлечений

I.16.1.3.1.1.

I.16.1.3.1.2.

I.16.1.3.2.

I.16.1.3.3.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.1.3.3. не распространяется на приборы, специально спроектированные для гражданского телевидения, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры

I.16.1.4.

I.16.1.4.1.

I.16.1.4.2.

I.16.1.4.3.

I.16.1.5.

I.16.1.5.1.

I.16.1.5.2.

I.16.2.

I.16.2.1.

I.16.2.1.1.

I.16.2.1.1.1.

I.16.2.1.1.2.

I.16.2.1.1.3.

I.16.2.1.2.

I.16.2.1.3.

I.16.2.1.3.1.

I.16.2.1.3.2.

I.16.2.1.3.3.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.2.1.3. не распространяется на аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электроникой для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных

I.16.2.1.4.

I.16.2.2.

I.16.2.3.

I.16.2.3.1.

I.16.2.3.2.

I.16.2.4.

I.16.2.4.1.

I.16.2.4.2.

I.16.2.4.3.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.2.4. не распространяется на аппаратуру, в которой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты

I.16.2.5.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.2.5. не распространяется на сетевые анализаторы с качающейся частотой, рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления

I.16.2.6.

I.16.2.7.

I.16.2.7.1.

I.16.2.7.2.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.2.7.1. не распространяется на рубидиевые эталоны, не предназначенные для космического применения

I.16.2.8.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.2.8. не распространяется на эмуляторы, спроектированные под семейство, содержащее хотя бы один прибор, не подлежащий экспортному контролю по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.

I.16.3.

I.16.3.1.

I.16.3.1.1.

I.16.3.1.2.

I.16.3.1.3.

I.16.3.2.

I.16.3.2.1.

I.16.3.2.2.

I.16.3.3.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.3.3. не распространяется на автоматические робототехнические системы обработки пластин, не предназначенные для работы в вакууме

I.16.3.4.

I.16.3.4.1.

I.16.3.4.1.1.

I.16.3.4.1.2.

I.16.3.4.1.3.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.3.4.1. не распространяется на установки многократного совмещения и экспонирования, имеющие длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше

I.16.3.4.2.

I.16.3.4.2.1.

I.16.3.4.2.2.

I.16.3.4.2.3.

I.16.3.5.

I.16.3.5.1.

I.16.3.5.2.

I.16.3.6.

I.16.3.6.1.

I.16.3.6.2.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.2. не распространяется на аппаратуру, специально спроектированную для испытаний: сборок или класса сборок для бытовой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экспортному контролю

I.16.3.6.3.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.3. не распространяется на аппаратуру, специально спроектированную для испытаний микроволновых интегральных схем, для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц

I.16.3.6.4.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.4. не распространяется на сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов

I.16.4.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4. не распространяется на: РЛС с активным ответом; автомобильные РЛС для предотвращения столкновений; дисплеи и мониторы, используемые для контроля воздушного движения, имеющие разрешение не более 12 элементов на мм

I.16.4.1.

I.16.4.2.

________________ Примечание: Центральная рабочая частота равна полусумме наибольшей и наименьшей несущих частот, на которых может работать РЛС

I.16.4.3.

I.16.4.4.

I.16.4.5.

I.16.4.6.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4.6. не распространяется на аппаратуру РЛС точной посадки, удовлетворяющую стандартам ИКАО, и метеорологические (погодные) РЛС

I.16.4.7.

I.16.4.8.

I.16.4.9.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4.9. не распространяется на наземные РЛС наблюдения рыбных косяков

I.16.4.10.

I.16.4.10.1.

I.16.4.10.2.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам I.16.4.10.-I.16.4.10.2 не распространяется на ЛИДАРы, специально спроектированные для метеорологических наблюдений

I.16.4.11.

I.16.4.12.

I.16.4.12.1.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4.12.1. не распространяется на средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС

I.16.4.12.2.

I.16.4.12.3.

I.16.4.12.4.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4.12.4. не распространяется на системы, оборудование и узлы для контроля морского движения

I.16.4.13.

I.16.4.14.

I.16.5.

I.16.5.1.

I.16.5.1.1.

I.16.5.1.2.

I.16.5.1.3.

1. Пункт I.16.5.1.3. применяется только в отношении к электронной аппаратуре

2. Пункты I.16.5.1.2. и I.16.5.1.3. не применяются в отношении к бортовой аппаратуре спутников

I.16.5.2.

________________ Примечание: К телекоммуникационной аппаратуре передачи, указанной в пунктах I.16.5.2.1. - I.16.5.2.11.3., относится аппаратура:

а) определяемая по одной из следующих категорий или их комбинаций: радиоаппаратура (например, передатчики, приемники и трансиверы); оконечная аппаратура линий; аппаратура промежуточных усилителей; ретрансляционная аппаратура; аппаратура ретрансляции с восстановлением сигнала; трансляционные кодеры (транскодеры); аппаратура уплотнения (включая статистическое уплотнение); модуляторы/демодуляторы (модемы); трансмультиплексная аппаратура; цифровая коммутационная аппаратура с встроенным программным управлением; ключи и мосты; аппаратура доступа к телекоммуникационной среде; б) разработанная для использования в одноканальных или многоканальных линиях связи через: провода (линии); коаксиальный кабель; оптоволоконный кабель; электромагнитное излучение

I.16.5.2.1.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.5.2.1. не распространяется на аппаратуру, специально разработанную для включения и функционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения

I.16.5.2.2.

I.16.5.2.3.

I.16.5.2.3.1.

I.16.5.2.3.2.

I.16.5.2.3.3.

_____________ Примечание: Если не подпадающее под экспортный контроль оборудование содержит контроллер доступа в сеть, то оно не должно иметь какой-либо тип телекоммуникационного интерфейса, за исключением описанного в пунктах I.16.5.2.3.-I.16.5.3.3., но с параметрами ниже приведенных

I.16.5.2.4.

I.16.5.2.4.1.

I.16.5.2.4.2.

I.16.5.2.4.3.

I.16.5.2.4.4.

I.16.5.2.4.5.

I.16.5.2.5.

I.16.5.2.5.1.

I.16.5.2.5.2.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.4.5.2. не распространяется на радиоаппаратуру, расчитанную на гражданское применение, функционирующую в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответстствии с рекомендациями Международного Союза Электросвязи

I.16.5.2.6.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.5.2.6. не распространяется на аппаратуру, специально разработанную для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения

I.16.5.2.7.

I.16.5.2.7.1.

I.16.5.2.7.2.

I.16.5.2.7.3.

I.16.5.2.8.

I.16.5.2.9.

I.16.5.2.10.

I.16.5.2.10.1.

I.16.5.2.10.2.

I.16.5.2.11.

I.16.5.2.11.1.

I.16.5.2.11.2.

I.16.5.2.11.3.

I.16.5.3.

_____________ Примечание: Статистические мультиплексоры с цифровым входом и выходом, которые обеспечивают коммутацию, рассматриваются как коммутаторы со встроенным программным управлением.

I.16.5.3.1.

____________ Примечание: Системы сигналообразования, в которых сигнал поступает и используется в виде не более 32 уплотненных каналов, формирующих телефонную линию со скоростью не более 2,1 Мбит/с, и в которой применено временное уплотнение без использования служебных сообщений, не считаются системами общего сигналообразования

I.16.5.3.2.

I.16.5.3.2.1.

I.16.5.3.2.2.

______________ Примечание: Пункт I.16.5.3.2. не препятствует оценке и соответствующим действиям со стороны принимающего коммутатора

I.16.5.3.3

______________ Примечание: Пункт I.16.5.3.3. не распространяется на иерархию одноуровневых вызовов

I.16.5.3.4.

I.16.5.3.5.

I.16.5.3.6.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам I.16.5.3.5 и I.16.5.3.6. не распространяется на сети, использующие только контроллеры доступа в сеть, или на сами контроллеры доступа в сеть

I.16.5.3.7.

I.16.5.3.8.

I.16.5.3.8.1.

______________ Примечание: Пункт I.16.5.3.8.1. не препятствует уплотнению по составной линии каналов связи, не подлежащих экспортному контролю

I.16.5.3.8.2.

I.16.5.3.9.

I.16.5.3.10.

I.16.5.3.11.

I.16.5.4.

______________ Примечание: Пункт I.16.5.4. не препятствует контролю нагрузки как функции предсказуемых статистических условий

I.16.6.

I.16.6.1.

I.16.6.2.

I.16.6.3.

аппаратуры с использованием посто- янного полосового скремблирования, не превышающего 8 полос, в которой транспозиции происходят не чаще 1 раза в секунду;

аппаратуры с использованием посто- янного полосового скремблирования числом полос более 8, причем транс- позиции происходят не чаще 1 раза в 10 секунд;

аппаратуры с использованием фикси- рованной частотной инверсии, в которой транспозиции происходят не чаще 1 раза в секунду;

аппаратуры факсимильной связи;

аппаратуры вещания в ограниченной аудитории;

аппаратуры гражданского телеви- дения I.16.6.4.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту I.16.6.4. не распространяется на аппаратуру специального подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих

I.16.6.5.

I.16.6.6.

I.16.6.7.

I.16.7.

I.16.8.

I.16.8.1.

I.16.8.2.

I.16.9

_______________ Примечания:

1. Пункты I.16.9.-I.16.9.10. включают вектор-процессоры, матричные процессоры, логические процессоры и аппаратуру для улучшения качества изображения или обработки сигналов.

2. Оценка необходимости введения экспортного контроля по цифровым ЭВМ и сопутствующему оборудованию, указанным в пунктах I.16.9-I.16.9.10., определяется оценкой другого оборудования или других систем в том случае, если: цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование существенно для работы другого оборудования или других систем; цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; оценка необходимости введения экспортного контроля по оборудованию обработки сигналов или улучшения качества изображения, указанному в пункте I.16.9.7. и специально спроектированному для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется оценкой другого оборудования, даже если первое соответствует критерию основного элемента.

3. Экспортный контроль не распространяется на цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование, указанное в пунктах I.16.9.- I.16.9.10., в том случае, если: они существенны для применения в медицине; по своему устройству и характеру работы они ограничены лишь применением в медицине; эта аппаратура не имеет режима программирования пользователем, кроме такого, при котором обеспечивается возможность ввода исходных или модифицированных программ, поставляемых их первоначальным изготовителем; совокупная теоретическая производительность любой цифровой ЭВМ, не спроектированной и не модифицированной для применения в медицине, но существенной для этого применения, не должна превышать 20 миллионов теоретических операций в секунду (мегатопсов).

I.16.9.1.

I.16.9.2.

_______________ Примечание: Применительно к пункту I.16.9.2. цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используются: алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; взаимосвязь двух цифровых ЭВМ, такая, что если активный центральный процессор отказывает, ждущий, но отслеживающий центральный процессор может продолжить функционирование системы; взаимосвязь двух центральных процессоров посредством каналов передач данных или с применением общей памяти, чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнить другую работу, пока не откажет второй центральный процессор, тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; синхронизация двух центральных процессоров посредством программного обеспечения такая, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи отказавшего устройства.

I.16.9.3.

I.16.9.4.

______________ Примечания:

1. Пункт I.16.9.4. распространяется лишь на сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие границы, указанной в пункте I.16.9.3., при поставке в виде необъединенных сборок. Он неприменим к сборкам, по конструкции своей пригодным лишь для использования в качестве сопутствующего оборудования, на которое распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.9.5. - I.16.9.10.

2. Пункт I.16.9.4. распространяет экспортный контроль на сборки, специально спроектированные для продукции или целого семейства продуктов, в своей максимальной конфигурации не превышающих границы, указанной в пункте I.16.9.3.

I.16.9.4.1.

I.16.9.4.2.

I.16.9.5.

I.16.9.5.1.

I.16.9.5.2.

I.16.9.6.

I.16.9.7.

I.16.9.8.

_______________ Примечание: Пункт I.16.9.8. не распространяется на рабочие станции, созданные и ограниченные: графическим искусством (например, полиграфией, книгопечатанием); отображением двумерных векторов

I.16.9.9.

________________ Примечание: Пункт I.16.9.9. не распространяет экспортный контроль на дисплеи или мониторы, не спроектированные специально для ЭВМ

I.16.9.10.

______________ Примечание: Применительно к пункту I.16.9.10. в понятие "терминальный интерфейс" входят интерфейсы локальных сетей, модемы и другие интерфейсы связи (стыки). Интерфейсы локальных вычислительных сетей оцениваются как контроллеры доступа к сети

I.16.10.

I.16.10.1.

I.16.10.2.

I.16.10.3.

Раздел II.1. Металлические материалы II.1.1.

II.1.1.1.

II.1.1.2.

II.1.2.

II.1.2.1.

II.1.2.1.1.

II.1.2.1.2.

II.1.2.2.

II.1.2.2.1.

II.1.2.2.2.

II.1.2.3.

II.1.2.3.1.

II.1.2.3.2.

II.1.2.4.

II.1.2.4.1.

II.1.2.4.2.

II.1.2.5.

II.1.3.

II.1.4.

II.1.4.1.

II.1.4.2.

II.1.4.3.

II.1.4.4.

II.1.5.

II.1.6.

II.1.7.

II.1.8.

II.1.8.1.

II.1.8.2.

II.1.8.3.

II.1.8.4.

II.1.8.5.

__________________ Примечание: Х служит показателем равенства содержания в сплаве одного или более составляющих элементов (примесей)

II.1.9.

II.1.10.

II.1.10.1.

II.1.10.2.

II.1.10.2.2.

II.1.10.3.

Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и

II.2.1.

II.2.1.1.

II.2.1.2.

II.2.1.3.

II.2.1.4.

II.2.1.5.

_____________ Примечание: Технологии производства неплавких порошков для формообразования под давлением или подготовки форм из материалов, указанных в пунктах II.2.1.1., II.2.1.3., II.2.1.5., II.2.1.6., II.2.1.13., экспортному контролю не подлежат

II.2.1.6.

II.2.1.6.1.

II.2.1.6.2.

II.2.1.7.

II.2.1.8.

II.2.1.8.1.

II.2.1.8.2.

II.2.1.8.3.

II.2.1.8.4.

II.2.1.9.

II.2.1.10.

II.2.1.11.

II.2.1.12.

II.2.1.12.1.

II.2.1.12.2.

II.2.1.12.3.

II.2.1.13.

II.2.2.

II.2.2.1.

II.2.2.1.1.

II.2.2.1.2.

II.2.2.1.3.

II.2.2.2.

II.2.2.3.

II.2.2.4.

II.2.3.

II.2.3.1.

II.2.3.2.

II.2.3.3.

II.2.3.4.

II.2.3.5.

II.2.3.6.

II.2.4.

II.2.5.

II.2.5.1.

II.2.5.2.

II.2.6.

II.2.7.

II.2.8.

II.2.9.

II.2.10.

Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы II.3.1

II.3.1.1.

II.3.1.2.

II.3.1.3.

II.3.2.

II.3.3.

II.3.4.

II.3.5.

II.3.6.

II.3.6.1.

II.3.6.1.1.

II.3.6.1.2.

II.3.6.1.3.

II.3.6.1.4.

______________ Примечание: Для циркония представленные выше пределы размеров частиц соответствуют 1 мкм и 5 мкм соответственно

II.3.6.2.

II.3.7.

II.3.7.1.

Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы II.4.1.

II.4.1.1.

____________ Примечание: Указанные в пункте II.4.1.1. кремний-углеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод

II.4.1.2.

_____________ Примечание: Указанные в пункте II.4.1.2. хлоро-фторуглероды содержат исключительно хлор, фтор и углерод

II.4.2.

II.4.2.1.

II.4.2.2.

II.4.3.

II.4.3.1.

II.4.3.2.

II.4.3.3.

Раздел II.5. Фармацевтические препараты II.5.1.

II.5.2.

II.5.3.

II.5.4.

II.5.5.

II.5.6.

II.5.7.

Раздел II.6. Токсичные вещества II.6.1.

Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики

II.7.1.

II.7.2.

II.7.3.

II.7.3.1.

II.7.3.2.

II.7.3.3.

II.7.4.

II.7.4.1.

II.7.4.2.

II.7.4.2.1.

II.7.4.2.2.

II.7.4.4.

II.7.4.5.

II.7.4.5.1.

_____________ Примечание: Пункт II.7.4.5.1. распространяется только на технологию производства фторидов циркония или алюминия и подобных соединений

II.7.4.5.2.

II.7.4.6.

II.7.4.7.

II.7.4.8.

II.7.5.

II.7.5.1.

II.7.5.2.

II.7.6.

II.7.6.1.

II.7.6.2.

II.7.6.3.

II.7.6.4.

II.7.7.

II.7.8.

____________ Примечание: Технология производства гидридов, содержащих 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подлежит экспортному контролю согласно пункту II.7.8.

II.7.9.

II.7.10.

Раздел II.8. Электротехника и энергетика II.8.1.

II.8.1.1.

II.8.1.1.1.

II.8.1.2.

с критической температурой при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,65 К о о (-263,31 С), но не ниже 24 К (-249,16 С);

с площадью поперечного сечения менее -4 0,28*10 кв. мм; которые остаются в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 К о (-268 96 С), находясь в магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т

II.8.2.

II.8.3.

II.8.4.

II.8.5.

____________ Примечание: Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства батарей с объемом 26 куб. см и меньше (например, стандартные угольные элементы), указанных в пунктах II.8.5.-II.8.5.3.

II.8.5.1.

II.8.5.2.

II.8.5.3.

II.8.5.4.

II.8.6.

II.8.6.1.

II.8.6.2.

II.8.6.3.

II.8.6.4.

II.8.7.

___________ Примечание: Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства сверхпроводяших электромагнитов или соленоидов, специально спроектированных для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии

II.8.7.1.

II.8.8.

II.8.8.1.

II.8.9.

II.8.10.

Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали II.9.1.

______________ Примечание: Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства шарикоподшипников с допусками, устанавливаемыми производителями в соответствии со стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже

II.9.1.1.

II.9.1.1.1.

II.9.1.1.2.

II.9.1.1.3.

II.9.1.2.

II.9.1.3.

II.9.1.3.1.

II.9.1.3.2.

II.9.1.4.

II.9.1.5.

II.9.1.6.

II.9.1.7.

Раздел II.10. Обработка материалов II.10.1.

II.10.1.1.

II.10.1.1.1.

II.10.1.1.2.

II.10.1.1.3.

II.10.1.2.

II.10.1.2.1.

_____________ Примечание: К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность при температурах о свыше 922 К (649 С) в тяжелых условиях функционирования и окружающей среды

II.10.1.2.2.

II.10.1.2.3.

II.10.1.2.4.

II.10.2.

II.10.3.

II.10.3.1.

II.10.3.2.

II.10.4.

II.10.5.

II.10.6.

II.10.6.1.

II.10.6.2.

II.10.6.3.

II.10.6.4.

II.10.6.5.

II.10.6.6.

II.10.6.7.

II.10.6.8.

II.10.6.9.

II.10.6.10.

II.10.6.11.

II.10.6.12.

II.10.6.13.

_______________ Примечание: Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства стандартных производственных установок для покрытий, образуемых ионной металлизацией на режущем инструменте металлообрабатывающих станков

II.10.6.14.

II.10.6.15.

II.10.6.16.

II.10.6.17.

II.10.6.18.

II.10.7.

II.10.7.1.

_____________ Примечания:

1. Нанесение (твердого) покрытия из парообразных химических соединений - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композит, диэлектрик или керамика наносится на нагретое изделие. Газообразные продукты (пары, реактанты) разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена нагревом изделия, свечением плазменного разряда или лучом лазера.

2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения химических соединений из паровой фазы включает следующие процессы: беспорошковое нанесение покрытия прямым газовым потоком; пульсирующее химическое осаждение паров; управляемое термическое нанесение покрытий с ядерным дроблением, а также с применением мощного потока плазмы или реализация химического осаждения паров ее участием.

3. Порошковое нанесение означает погружение изделия в порошок из нескольких составляющих.

4. Газообразные продукты (пары, реактанты), используемые в беспорошковом процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как порошковая цементация, кроме того случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью порошка.

II.10.7.1.1.

II.10.7.1.2.

II.10.7.1.2.1.

II.10.7.1.2.2.

_______________ Примечание Стекла с малым коэффициентом расширения, указанные в пунктах II.10.7.1.2.1., II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1., II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1. II.10.7.2.3.3., II.10.7.6.6.2, II.10.7.6.7.1., II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие -7 -1 коэффициент температурного расширения в 1 *10 К или менее, o измеренный при 293 К (20 C)

II.10.7.1.3.

II.10.7.1.4.

II.10.7.1.4.1.

II.10.7.1.4.2.

II.10.7.1.4.3.

_______________ Примечание Карбид, цементируемый вольфрамом, указанный в пунктах II.10.7.1.4.3., II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1., II.10.7.2.1.7.3., II.10.7.2.1.9.1., II.10.7.2.1.10.4., II.10.7.2.2.1.4., II.10.7.2.3.1.4., II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1., II.10.7.6.17.1., II.10.7.7.3.2., II.10.7.7.4., не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титана/(кобальт, никель), хрома карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля

II.10.7.1.4.4.

II.10.7.1.4.5.

II.10.7.1.4.6.

___________

1. Материалы окон датчиков, указанные в пунктах II.10.7.1.4.6., II.10.7.2.1.10.8., II.10.7.2.2.1.8., II.10.7.2.3.1.8., II.10.7.2.3.2., следующие: алюмин (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, а также следующие галогениды металлов: иодистый калий, фтористый калий или материалы окон датчиков диаметром более 40 мм из бромистого таллия и хлоробромистого таллия.

2. Диэлектрические слоевые покрытия, упомянутые в пунктах II.10.7.1.4., II.10.7.2.1.10., II.10.7.2.2.1., II.10.7.2.3.1., II.10.7.6.8., определяются как многослойные изолирующие материалы, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных диапазонов длин волн. Диэлектрические слои определяются по количеству более четырех или по качеству как композит: диэлектрик/металл.

II.10.7.1.5.

II.10.7.1.5.1.

II.10.7.1.5.2.

II.10.7.1.5.3.

___________ Примечание: Смеси, упомянутые в пунктах II.10.7.1.5., II.10.7.1.7., II.10.7.2.1.1. - II.10.7.2.1.9., II.10.7.3.1., II.10.7.3.2., II.10.7.4.1., II.10.7.4.2., II.10.7.4.7., II.10.7.5.3., II.10.7.5.4., II.10.7.6.1. - II.10.7.6.7,, II.10.7.6.15.-II.10.7.6.17., включают инфильтрирующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и реализуются одним или несколькими процесcами нанесения покрытий.

II.10.7.1.6.

___________ Примечание: Тугоплавкие металлы, указанные в пунктах II.10.7.1.6., II.10.7.2.1.8., II.10.7.3.3.2., II.10.7.3.6., II.10.7.4.8.1., II.10.7.4.9.1., II.10.7.4.10.1.. II.10.7.5.1., II.10.7.5.2., II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2., II.10.7.6.13.2., II.10.7.6.14.2., II.10.7.6.15., состоят из следующих металлов и их сплавов: ниобия (колумбия - в США), молибдена, вольфрама и тантала.

II.10.7.1.7.

II.10.7.1.7.1.

II.10.7.1.7.2.

II.10.7.2.

___________ Примечания:

1. Физическое осаждение паров испарением (термовыпариванием) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением, меньшим 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава (компаундами) покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации или участия в нанесении покрытия также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров термовыпариванием. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем для процессов этого типа.

2. Ионное плакирование - специальная модификация генерального процесса физического осаждения паров термовыпариванием, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательный заряд изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Внесение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерения (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.

II.10.7.2.1.

___________ Примечание: Электронно-лучевое физическое осаждение использует электронный луч для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие.

II.10.7.2.1.1.

II.10.7.2.1.2.

II.10.7.2.1.2.1.

II.10.7.2.1.2.2.

II.10.7.2.1.2.3.

II.10.7.2.1.3.

___________ Примечание: Термин "покрытие сплавами на основе алюминидов", упомянутый в пунктах II.10.7.2.1.3., II.10.7.2.4.2., II.10.7.4.6., включает единичное или многослойное нанесение покрытий, в котором на элемент или элементы осаждается покрытие прежде или в течение процесса алитирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия другим процессом. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса порошкового алитирования для получения сплавов алюминидов.

II.10.7.2.1.4.

II.10.7.2.1.4.1.

II.10.7.2.1.4.2.

___________ Примечание: МСrАlХ, указанный в пунктах II.10.7.2.1.4., II.10.7.2.4.3., II.10.7.4.1., II.10.7.6.4., соответствует сложному составу покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х - эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % по весу в различных пропорциях и комбинациях, кроме: СоСrАlY-покрытий, содержащих меньше 22 % по весу хрома, меньше 7 % по весу алюминия и меньше 2 % по весу иттрия; СоСrАlY-покрытий, содержащих 22-24 % по весу хрома, 0,5-0,7 % по весу иттрия; NiСrАlY-покрытий, содержащих 21-23 % по весу хрома, 10-12 % по весу алюминия и 0,9-1,1 % по весу иттрия.

II.10.7.2.1.5.

II.10.7.2.1.5.1.

II.10.7.2.1.5.2.

II.10.7.2.1.6.

II.10.7.2.1.7.

II.10.7.2.1.7.1.

II.10.7.2.1.7.2.

II.10.7.2.1.7.3.

II.10.7.2.1.7.4.

II.10.7.2.1.8.

II.10.7.2.1.8.1.

II.10.7.2.1.8.2.

II.10.7.2.1.9.

II.10.7.2.1.9.1.

II.10.7.2.1.9.2.

II.10.7.2.1.10.

II.10.7.2.1.10.1.

II.10.7.2.1.10.2.

II.10.7.2.1.10.3.

II.10.7.2.1.10.4.

II.10.7.2.1.10.5.

II.10.7.2.1.10.6.

II.10.7.2.1.10.7.

II.10.7.2.1.10.8.

II.10.7.2.1.11.

___________ Примечание: Титановые сплавы, указанные в пунктах II.10.7.2.1.11., II.10.7.2.1.12., II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4., II.10.7.3.5., II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2., II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2., II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1., определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв в 900 МПа или o более, измеренным при 293 К (20 С).

II.10.7.2.1.12.

II.10.7.2.2.

___________ Примечание: Физическое осаждение с терморезистором использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия.

II.10.7.2.2.1.

II.10.7.2.2.1.1.

II.10.7.2.2.1.2.

II.10.7.2.2.1.3.

II.10.7.2.2.1.4.

II.10.7.2.2.1.5.

II.10.7.2.2.1.6.

II.10.7.2.2.1.7.

II.10.7.2.2.1.8.

II.10.7.2.3.

___________ Примечание: Лазерное испарение использует импульсный или непрерывный лазерный луч для нагрева материала, который формирует покрытие.

II.10.7.2.3.1.

II.10.7.2.3.1.1.

II.10.7.2.3.1.2.

II.10.7.2.3.1.3.

II.10.7.2.3.1.4.

II.10.7.2.3.1.5.

II.10.7.2.3.1.6.

II.10.7.2.3.1.7.

II.10.7.2.3.1.8.

II.10.7.2.3.2.

II.10.7.2.3.3.

II.10.7.2.4.

___________ Примечание: Процесс покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод как материал, который формирует покрытие, и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером). Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть или коническим и расположенным по периферии катода через изолятор, сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения. Это определение не включает нанесение покрытий беспорядочной (произвольной) катодной дугой с фиксированным положением изделия.

II.10.7.2.4.1.

II.10.7.2.4.2.

II.10.7.2.4.3.

II.10.7.2.4.4.

II.10.7.2.4.4.1.

___________ Примечание: Упомянутые в пунктах II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1., II.10.7.2.4.6.1. полимеры влючают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.

II.10.7.2.4.4.2.

II.10.7.2.4.5.

II.10.7.2.4.5.1.

II.10.7.2.4.5.2.

II.10.7.2.4.6.

II.10.7.2.4.6.1.

II.10.7.2.4.6.2.

II.10.7.3.

___________ Примечания:

1. Технология для одношаговой порошковой цементации твердых профилей крыльев экспортному контролю не подлежит.

2. Порошковая цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из: металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); активатора (в большинстве случаев галогенидная соль); инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия. Изделие и порошок содержатся внутри реторты (камеры), которая o o нагревается от 1030 К (757 С) до 1375 К (1102 С) на время, достаточное для нанесения покрытия.

II.10.7.3.1.

II.10.7.3.1.1.

II.10.7.3.1.2.

II.10.7.3.2.

II.10.7.3.2.1.

II.10.7.3.2.2.

II.10.7.3.3.

II.10.7.3.3.1.

II.10.7.3.3.2.

II.10.7.3.4.

II.10.7.3.5.

II.10.7.3.6.

II.10.7.4.

___________ Примечания:

1. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру и пруток (проволоку) из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть построено на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой.

2. Низкое давление означает давление ниже атмосферного.

3. Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной o при температуре 293 К (20 С) и давлении 0,1 МПа.

II.10.7.4.1.

II.10.7.4.1.1.

II.10.7.4.1.2.

___________ Примечание: Термин "алюминиевые сплавы", упомянутый в пунктах II.10.7.4.1.2., II.10.7.4.2.2., II.10.7.4.7., соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв в 190 МПа или более, o измеренным при температуре 293 К (20 С).

II.10.7.4.1.3.

II.10.7.4.2.

II.10.7.4.2.1.

II.10.7.4.2.2.

II.10.7.4.2.3.

___________ Примечание: Указанный в пунктах II.10.7.4.2., II.10.7.6.5. модифицированный оксид циркония соответствует добавкам оксидов других металлов (таких как кальций, магний, иттрий, гафний, редкоземельных оксидов и т. д .) в оксид циркония в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из оксида циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, экспортному контролю не подвергаются.

II.10.7.4.3.

II.10.7.4.3.1.

II.10.7.4.3.2.

II.10.7.4.4.

II.10.7.4.4.1.

II.10.7.4.4.2.

II.10.7.4.5.

II.10.7.4.5.1.

II.10.7.4.5.2.

II.10.7.4.6.

II.10.7.4.6.1.

II.10.7.4.6.2.

II.10.7.4.7.

II.10.7.4.8.

II,10.7.4.8.1.

II.10.7.4.8.2.

II.10.7.4.9.

II.10.7.4.9.1.

II.10.7.4.9.2.

II.10.7.4.10.

II.10.7.4.10.1.

II.10.7.4.10.2.

II.10.7.5.

___________ Примечание: Осаждение суспензии - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированными в жидкости, связываются с изделием напылением, погружением или окраской, с последующим воздушним или печным осушением, и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.

II.10.7.5.1.

II.10.7.5.2.

II.10.7.5.3.

II.10.7.5.3.1.

II.10.7.5.3.2.

II.10.7.5.4.

II.10.7.5.4.1.

II.10.7.5.4.2.

II.10.7.6.

___________ Примечания:

1. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов достаточна для образования на поверхности мишени атомов материала покрытия с подходящим размещением их на изделии.

2. Учитываются только триодная, магнетронная или реактивная металлизация распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также радиочастотное усиление напыления, используемое при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий.

3. Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.

II.10.7.6.1.

II.10.7.6.2.

II.10.7.6.2.1.

II.10.7.6.2.2.

II.10.7.6.3.

___________ Примечание: Термин "покрытие на основе алюминидов с модификацией благородным металлом" включает многошаговое нанесение покрытий, при котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.

II.10.7.6.4.

II.10.7.6.5.

II.10.7.6.6.

II.10.7.6.6.1.

II.10.7.6.6.2.

II.10.7.6.7.

II.10.7.6.7.1.

II.10.7.6.7.2.

II.10.7.6.7.3.

II.10.7.6.8.

II.10.7.6.8.1.

II.10.7.6.8.2.

II.10.7.6.8.3.

II.10.7.6.8.4.

II.10.7.6.8.5.

II.10.7.6.8.6.

II.10.7.6.8.7.

II.10.7.6.8.8.

II.10.7.6.9.

II.10.7.6.10.

II.10.7.6.11.

II.10.7.6.11.1.

II.10.7.6.11.2.

II.10.7.6.12.

II.10.7.6.12.1.

II.10.7.6.12.2.

II.10.7.6.13.

II.10.7.6.13.1.

II.10.7.6.13.2.

II.10.7.6.14.

II.10.7.6.14.1.

II.10.7.6.14.2.

II.10.7.6.15.

II.10.7.6.15.1.

II.10.7.6.15.2.

II.10.7.6.16.

II.10.7.6.16.1.

II.10.7.6.16.2.

II.10.7.6.17.

II.10.7.6.17.1.

II.10.7.6.17.2.

II.10.7.7.

___________ Примечание: Ионная имплантация - зто процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, в котором материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и насыщается (имплантируется) на участок поверхности изделия. К этим процессам с ионным насыщением относятся и процессы, в которых ионное насыщение самопроизвольно выполняется с выпариванием электронным лучом или металлизацией распылением.

II.10.7.7.1.

II.10.7.7.2.

II.10.7.7.2.1.

II.10.7.7.2.2.

II.10.7.7.3.

II.10.7.7.3.1.

II.10.7.7.3.2.

II.10.7.7.4.

II.10.8.

II.10.8.1.

II.10.8.2.

II.10.8.3.

II.10.8.4.

II.10.8.5.

II.10.8.6.

II.10.8.7.

II.10.8.8.

II.10.8.9.

II.10.9.

II.10.10.

II.10.11.

II.10.12.

II.10.13.

II.10.14.

II.10.15.

II.10.16.

II.10.17.

II.10.17.1.

___________ Примечание: Пункт II.10.17.1 не распространяется на конструкции технологию производства оборудования общего назначения для напыления.

II.10.17.2.

II.10.17.3.

II.10.18.

Раздел II.11. Датчики, измерительная аппаратура и приборы II.11.1.

II.11.2.

II.11.3.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.11.3.-II.11.3.12. не распространяется на конструкцию и технологию производства специальных инструментов для биомагнитных измерений медицинской диагностики, если они не содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.-I.10.2.8.4.

II.11.3.1.

II.11.3.2.

II.11.3.2.1.

II.11.3.3.

II.11.3.4.

II.11.3.5.

II.11.3.6.

II.11.3.7.

II.11.3.8.

II.11.3.8.1.

II.11.3.8.2.

II.11.3.8.3.

II.11.3.8.4.

II.11.3.9.

II.11.3.10.

II.11.3.11.

II.11.3.12.

II.11.4.

II.11.4.1.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.11.4.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства наземных гравитометров типа кварцевых элементов Уордена.

II.11.4.2.

II.11.5.

II.11.6.

II.11.7.

II.11.7.1.

II.11.7.2.

II.11.8.

II.11.9.

II.11.10.

II.11.11.

II.11.12.

II.11.13.

II.11.14.

II.11.15.

___________ Примечание: Система определения положения курсового направления самолета в воздухе обычно отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что система определения углового (курсового) положения самолета в воздухе обеспечивает информацией о направлении и не обеспечивает информацией об ускорении, скорости и положении (координате), снимаемой с ИНС.

II.11.16.

II.11.17.

II.11.17.1.

II.11.17.2.

II.11.17.3.

II.11.18.

II.11.18.1.

II.11.18.2.

II.11.18.3.

II.11.18.4.

II.11.18.5.

II.11.18.6.

II.11.18.7.

II.11.18.8.

II.11.18.9.

II.11.19.

II.11.19.1.

II.11.19.2.

II.11.19.3.

II.11.20.

II.11.20.1.

II.11.20.1.1.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.11.20.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства звуковых измерителей глубины вертикального действия без сканирования o луча в пределах свыше +-10 , имеющих ограниченное применение для измерения глубины или расстояния до погруженного или заглубленного объекта, а также косяков рыбы.

II.11.20.1.1.1.

II.11.20.1.1.1.1.

II.11.20.1.1.1.2.

II.11.20.1.1.2.

II.11.20.1.1.2.1.

II.11.20.1.1.2.2.

II.11.20.1.1.2.3.

II.11.20.1.1.2.5.

II.11.20.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под давление;

II.11.20.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент, отличный от

II.11.20.1.1.2.5.3. разработанный для измерения расстояний до

II.11.20.1.1.3.

II.11.20.1.1.3.1.

II.11.20.1.1.3.2.

II.11.20.1.1.3.3.

II.11.20.1.1.3.4.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.11.20.1.1.3. - II.11.20.1.1.3.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства электронных источников с только вертикальным акустическим излучением или механических (например, воздушных или паровых ружей) или химических (например, взрывных) источников.

II.11.20.1.1.4.

II.11.20.1.1.4.1.

II.11.20.1.1.4.2.

___________ Примечание: Пункты II.11.20.1.1.4. - II.11.20.1.1.4.2. включают конструкцию и технологию производства аппаратуры с использованием когерентной обработки сигналов между двумя или более маяками и гидрофонного устройства надводных и подводных судов, либо аппаратуры, обладающей способностью автокоррекции погрешности скорости распространения звука.

II.11.20.1.2.

II.11.20.1.2.1.

II.11.20.1.2.1.1.

II.11.20.1.2.1.2.

II.11.20.1.2.1.2.1. оптоволоконный;

II.11.20.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный;

II.11.20.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из гибкой керамики II.11.20.1.2.1.3.

II.11.20.1.2.1.4.

II.11.20.1.2.1.5.

II.11.20.1.2.1.6.

II.11.20.1.2.1.7.

II.11.20.1.2.2.

II.11.20.1.2.2.1.

II.11.20.1.2.2.2.

II.11.20.1.2.2.3.

II.11.20.1.2.2.4.

II.11.20.1.2.2.5.

II.11.20.1.2.2.6.

II.11.20.1.2.2.7.

II.11.20.1.2.2.8.

II.11.20.1.2.3.

II.11.20.1.2.3.1.

II.11.20.1.2.3.2.

II.11.20.2.

II.11.20.3.

II.11.20.4.

II.11.20.5.

Раздел II.12. Двигатели и движители, системы и оборудование для них

II.12.1.

II.12.1.1.

II.12.1.1.1.

II.12.1.1.2.

II.12.1.1.3.

II.12.1.1.4.

II.12.1.2.

II.12.1.3.

II.12.1.3.1.

II.12.1.3.2.

II.12.1.3.3.

II.12.1.3.4.

II.12.1.4.

II.12.1.5.

II.12.1.5.1.

II.12.1.5.2.

II.12.1.6.

II.12.1.7.

II.12.1.8.

II.12.1.9.

II.12.1.9.1.

II.12.1.9.2.

II.12.1.9.3.

II.12.1.9.4.

II.12.1.9.5.

II.12.1.10.

II.12.1.11.

II.12.1.11.1.

II.12.1.11.2.

II.12.1.11.3.

II.12.1.11.4.

II.12.1.11.5.

II.12.1.12.

II.12.1.13.

II.12.1.13.1.

II.12.1.13.2.

II.12.1.14.

II.12.1.15.

II.12.1.16.

II.12.1.17.

II.12.1.18.

II.12.2.

II.12.3.

II.12.4.

в пункте I.11.7.

II.12.5.

II.12.5.1.

II.12.5.2.

II.12.5.3.

II.12.5.4.

II.12.5.5.

II.12.5.6.

II.12.5.7.

II.12.5.8.

II.12.5.9.

II.12.5.9.1.

II.12.5.9.2.

----------- Примечание: По пунктам II.12.5.9. - II.12.5.9.2. экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства систем управления газового потока, осуществляемого с целью реверса тяги.

II.12.5.10.

II.12.5.11.

II.12.5.12.

II.12.6.

II.12.7.

II.12.8.

II.12.8.1.

II.12.8.2.

___________ Примечание: Применительно к пункту II.12.8. угол наклона измеряется от поверхности, обдуваемой потоком, тангенциально в точке, где ось отверстия пересекается с этой поверхностью.

II.12.9.

II.12.9.1.

II.12.9.2.

II.12.10.

___________ Примечание: Объем бокса определяется как производная трех значений перпендикуляров, измеренных следующим образом:

длина: длина коленчатого вала от переднего фланца до лицевой плоскости маховика;

ширина: максимальное значение из следующих измерений: внешнего расстояния от одной крайней крышки клапана до другой крайней крышки; расстояния между краями головок цилиндров; диаметра кожуха маховика;

высота: наибольшее из следующих измерений: расстояния от оси коленчатого вала до верхней плоскости клапанной крышки (или головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода поршня; диаметра кожуха маховика.

II.12.11.

___________ Примечание: Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - эти двигатели с номинальным значением эффективного давления торможения 1,8 МПа или более при скорости вращения 2300 об/мин, обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин или более.

II.12.11.1. Конструкция и технология производства систем

II.12.11.2. Конструкция и технология производства систем

II.12.11.3. Конструкция и технология производства систем

II.12.12.

Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование II.13.1.

II.13.1.1.

II.13.1.1.1.

II.13.1.1.2.

II.13.1.1.3.

II.13.1.1.4.

II.13.1.1.5.

II.13.1.2.

II.13.1.2.1.

II.13.1.2.2.

II.13.1.2.3.

II.13.1.3.

II.1З.1.3.1.

II.13.1.3.2.

II.13.1.3.3.

II.13.1.3.4.

II.13.1.4.

II.13.1.5.

II.13.1.5.1.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.13.1.5.1. не распространяется на технологию производства оптических фильтров с постоянным воздушным зазором или фильтров типа Лио.

II.13.1.5.2.

II.13.1.5.3.

II.13.1.5.4.

II.13.1.6.

II.13.1.7.

II.13.1.7.1.

II.13.1.7.2.

II.13.1.7.3.

II.13.1.7.4.

II.13.1.7.5.

II.13.1.7.5.1.

II.13.1.7.5.2.

II.13.1.7.6.

II.13.1.8.

II.13.1.9.

II.13.1.10.

II.13.1.11.

II.13.1.12.

II.13.2.

II.13.2.1.

-------------- Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.13.2.1. - II.13.2.1.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства германиевых или кремниевых фотодиодов.

II.13.2.1.1.

II.13.2.1.1.1.

II.13.2.1.1.2.

II.13.2.1.1.3.

II.13.2.1.2.

II.13.2.1.2.1.

II.13.2.1.2.2.

II.13.2.1.2.2.1.

II.13.2.1.2.2.2.

II.13.2.1.2.2.3.

II.13.2.1.3.

II.13.2.1.3.1.

II.13.2.1.3.2.

II.13.2.1.3.3.

II.13.2.1.4.

___________ Примечания:

1. Пункты II.13.2.1.3.-II.13.2.1.4. включают конструкцию производства матриц фотопроводимости и солнечных батарей

2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства кремниевых матриц в фокальной плоскости, многоэлементных (не более 16 элементов) фотопроводящих элементов в оболочке или пироэлектрических детекторов, использующих любой из следующих материалов: сульфид свинца; сульфат триглицерина и его разновидности; титанат циркония-лантана-свинца и его разновидности; танталат лития; фторид поливиниллидена и его разновидности; ниобат бария-стронция и его варианты; селенид свинца.

II.13.2.2.

II.13.2.2.1.

II.13.2.2.2.

II.13.2.3.

II.13.2.4.

II.13.2.4.1.

II.13.2.4.2.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.13.2.4.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства следующей аппаратуры с фотокатодами, отличными от фотокатодов на GaAs или GaInAs: промышленных или гражданских датчиков охраны, систем учета или контроля дорожного или производственного движения; медицинской аппаратуры; промышленной аппаратуры для контроля, анализа или сортировки материалов; детекторов пламени для промышленных печей; аппаратуры, специально разработанной для промышленного использования.

II.13.2.5.

II.13.2.5.1.

II.13.2.5.2.

II.13.2.5.2.1.

II.13.2.5.2.2.

II.13.2.5.3.

II.13.2.5.3.1.

II.13.2.5.3.2.

II.13.3.

II.1З.3.1.

II.13.3.1.1.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.13.3.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства кинокамер для гражданских целый.

II.13.3.1.2.

II.13.3.1.3.

II.13.3.1.4.

II.13.3.1.5.

II.13.3.2.

__________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.13.3.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства телевизионных и видеокамер для телевидения.

II.13.3.2.1.

6 II.13.3.2.1.1. более 4*10 активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромной (черно-белой) камеры;

6 II.13.3.2.1.2. более 4*10 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с тремя твердотельными матрицами;

6 II.13.3.2.1.3. более 12*10 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с одной твердотельной матрицей

II.13.3.2.2.

II.13.3.2.3.

II.13.3.2.4.

II.13.4.

II.13.4.1.

II.13.4.1.1.

II.13.4.1.1.1.

II.13.4.1.1.2.

II.13.4.1.1.3.

II.13.4.1.1.4.

II.13.4.1.2.

II.13.4.1.3.

II.13.4.1.3.1.

II.13.4.1.3.2.

II.13.4.1.3.3.

II.13.4.1.3.4.

II.13.4.1.4.

II.13.4.1.5.

II.13.4.1.5.1.

II.13.4.1.5.2.

II.13.4.1.6.

II.13.4.1.7.

II.13.4.1.7.1.

II.13.4.1.7.2.

II.13.4.1.7.3.

II.13.4.1.8.

II.13.4.1.9.

II.13.4.1.9.1.

II.13.4.1.9.2.

II.13.4.1.9.3.

II.13.4.1.9.3.1.

II.13.4.1.9.3.2.

II.13.4.1.10.

II.13.4.1.11.

II.13.4.1.11.1.

II.13.4.1.11.2.

II.13.4.1.12.

II.13.4.1.13.

II.13.4.1.13.1.

II.13.4.1.13.2.

II.13.4.1.13.3.

II.13.4.1.13.4.

II.13.4.1.14.

II.13.4.2.

II.13.4.2.1.

II.13.4.2.2.

II.13.4.2.2.1.

II.13.4.2.2.2.

II.13.4.2.2.3.

II.13.4.2.3.

II.13.4.3.

II.13.4.3.1.

II.13.4.3.1.1.

II.13.4.3.1.2.

II.13.4.3.1.3.

___________ Примечание: Пункт II.13.4.3.1. включает конструкцию и технологию производства титаново-сапфировых (Ti:Аl O ), тулий-YАG, 2 3 тулий-YSGG - александрит (Cr:ВеАl O ) лазеров и лазеров с 2 4 окрашенным центром.

II.13.4.3.2.

II.13.4.3.3.

___________ Примечание: Пункты II.13.4.3.3. - II.13.4.3.3.7.4. включают конструкцию и технологию производства твердотельных лазеров на атомных переходах.

II.13.4.3.3.1.

II.13.4.3.3.2.

II.13.4.3.3.3.

II.13.4.3.3.3.1.

II.13.4.3.3.3.2.

II.13.4.3.3.4.

II.13.4.3.3.5.

II.13.4.3.3.5.1.

II.13.4.3.3.5.2.

II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением,

II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением,

II.13.4.3.3.5.3.

II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение

II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с

II.13.4.3.3.5.4.

II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более

II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с

II.13.4.3.3.6.

II.13.4.3.3.7.

II.13.4.3.3.7.1.

II.13.4.3.3.7.2.

II.13.4.3.3.7.3.

II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной

II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с выходной

II.13.4.3.3.7.4.

II.13.4.3.3.8.

II.13.4.4.

II.13.4.4.1.

II.13.4.4.2.

II.13.4.4.3.

II.13.4.4.4.

II.13.4.5.

II.13.4.6.

II.13.4.7.

II.13.4.8.

II.13.4.8.1.

II.13.4.8.2.

II.13.4.9.

II.13.4.10.

II.13.4.10.1.

II.13.4.10.1.1.

II.13.4.10.1.2.

II.13.4.10.2.

II.13.4.10.3.

II.13.4.10.4.

II.13.4.10.5.

II.13.4.10.6.

II.13.4.10.7.

II.13.4.10.8.

II.13.4.11.

II.13.4.11.1.

II.13.4.11.1.1.

II.13.4.11.1.2.

II.13.4.11.2.

II.13.4.12.

II.13.4.13.

II.13.5.

II.13.5.1.

II.13.5.1.1.

II.13.5.1.2.

II.13.5.2.

II.13.5.3.

II.13.5.4.

II.13.5.5.

II.13.5.6.

II.13.5.7.

II.13.5.8.

Раздел II.14. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование

II.14.1.

II.14.1.1.

II.14.1.2.

II.14.1.3.

II.14.1.3.1.

II.14.1.3.2.

II.14.1.3.3.

___________ Примечания:

2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки без учета массы экипажа

3. Радиус действия равен половине максимального расстояния, которое аппарат может преодолеть в погруженном состоянии.

II.14.1.4.

II.14.1.5.

II.14.1.6.

II.14.1.7.

II.14.1.7.1.

II.14.1.7.2.

II.14.1.7.3.

II.14.1.8.

II.14.1.9.

II.14.1.9.1.

II.14.1.9.2.

II.14.1.10.

II.14.1.11.

II.14.1.12.

II.14.1.13.

II.14.1.14.

II.14.1.15.

II.14.1.16.

II.14.1.17.

II.14.1.17.1.

II.14.1.17.2.

II.14.1.18.

II.14.2.

II.14.2.1.

II.14.2.1.1.

II.14.2.1.2.

II.14.2.1.3.

II.14.2.2.

II.14.2.3.

II.14.2.3.1.

II.14.2.3.2.

II.14.2.3.3.

II.14.2.4.

II.14.2.5.

II.14.2.6.

II.14.2.7.

II.14.2.7.1.

II.14.2.7.2.

II.14.2.8.

II.14.2.9.

II.14.2.10.

II.14.2.11.

II.14.2.12.

II.14.3.

II.14.3.1.

II.14.3.2.

II.14.3.2.1.

II.14.3.2.2.

II.14.3.2.3.

II.14.3.2.4.

II.14.3.2.5.

II.14.3.2.6.

II.14.3.2.7.

II.14.3.3.

II.14.3.4.

II.14.3.5.

II.14.3.6.

II.14.3.6.1.

II.14.3.6.2.

II.14.3.6.3.

II.14.3.6.4.

II.14.3.6.5.

II.14.3.6.6.

II.14.3.7.

II.14.3.7.1.

коллективное управление;

вращательное управление;

управление рысканием II.14.3.7.2.

II.14.3.7.3.

Раздел II.15. Испытательное оборудование II.15.1.

II.15.2.

II.15.3.

II.15.3.1.

II.15.3.2.

II.15.4.

II.15.5.

II.15.6.

II.15.7.

II.15.8.

II.15.9.

II.15.10.

II.15.11.

Раздел II.16. Робототехника II.16.1.

II.16.1.1.

II.16.2.

II.16.3.

II.16.3.1.

II.16.3.2.

II.16.4.

Раздел II.17. Радиоэлектроника II.17.1.

___________ Примечания:

1. Экспортный контроль по подразделу II.17.1. не распространяется на конструкцию и технологии производства: микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; интегральных схем, указанных в пунктах I.16.1.1. - I.16.1.1.8.2., использующих проектные нормы 1 мкм и выше и не содержащих многослойных структур.

2. Не контролируется экспорт многослойной технологии приборов, содержащих максимум два металлических слоя и два слоя поликремния.

II.17.1.1.

II.17.1.1.1.

________________ Примечания:

1. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства кремниевых микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих длину операнда (данных) 8 бит и менее.

2. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. распространяется на конструкцию и технологию производства цифровых сигнальных процессоров, цифровых матричных процессоров и цифровых сопроцессоров

II.17.1.1.1.1.

II.17.1.1.1.2.

II.17.1.1.1.3.

II.17.1.1.1.4.

II.17.1.1.2.

II.17.1.1.2.1.

II.17.1.1.2.2.

II.17.1.1.2.3.

II.17.1.1.3.

II.17.1.1.4.

II.17.1.1.4.1.

II.17.1.1.4.2.

II.17.1.1.5.

II.17.1.1.5.1.

II.17.1.1.5.2.

II.17.1.1.6.

II.17.1.1.7.

II.17.1.1.7.1.

II.17.1.1.7.2.

II.17.1.1.7.3.

II.17.1.1.8.

II.17.1.1.8.1.

II.17.1.1.8.2.

II.17.1.2.

II.17.1.2.1.

_______________ Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.1.2.1. - II.17.1.2.1.3.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства ламп, предназначенных для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с частотами, не превышающими 31 ГГц

II.17.1.2.1.1.

II.17.1.2.1.1.1.

II.17.1.2.1.1.2.

II.17.1.2.1.1.3.

II.17.1.2.1.1.4.

II.17.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы

II.17.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы

II.17.1.2.1.1.4.3. по техническим

II.17.1.2.1.2.

II.17.1.2.1.3.

II.17.1.2.1.3.1.

II.17.1.2.1.3.2.

II.17.1.2.2.

катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1. - I.16.1.2.1.3.2.

II.17.1.2.3.

_________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства схем или модулей для оборудования, разработанного или пригодного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации с частотами, не превышающими 31 ГГц

II.17.1.2.4.

II.17.1.2.5.

II.17.1.2.6.

II.17.1.2.7.

II.17.1.2.7.1.

II.17.1.2.7.2.

__________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.7. не распространяется на конструкцию и технологию производства усилителей: специально спроектированных для медицинских целей; специально спроектированных для простых учебных приборов; имеющих выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированных для: промышленных или гражданских систем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц или охранной сигнализации; автодорожных или промышленных систем управления движением и систем подсчета; систем обнаружения экологического загрязнения воздуха или воды

II.17.1.2.8.

II.17.1.2.9.

II.17.1.2.10.

II.17.1.2.11.

II.17.1.2.12.

II.17.1.2.13.

II.17.1.2.14.

II.17.1.3.

II.17.1.3.1.

II.17.1.3.1.1.

II.17.1.3.1.2.

_________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для бытовой электроники или развлечений

II.17.1.3.2.

II.17.1.3.3.

II.17.1.3.4.

II.17.1.3.5.

________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.5. не распространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для гражданского телевидения, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры

II.17.1.3.6.

II.17.1.4.

II.17.1.4.1.

II.17.1.4.2.

II.17.1.4.3.

II.17.1.5.

II.17.1.6.

II.17.1.6.1.

II.17.1.6.2.

II.17.1.7.

II.17.1.8.

II.17.1.9.

II.17.1.10.

II.17.2.

II.17.2.1.

II.17.2.1.1.

II.17.2.1.1.1.

II.17.2.1.1.2.

II.17.2.1.1.3.

II.17.2.1.2.

II.17.2.1.3.

II.17.2.1.4.

II.17.2.1.5.

II.17.2.1.5.1.

II.17.2.1.5.2.

II.17.2.1.5.3.

__________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.5.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аналоговых накопителей на магнитной ленте, оснащенных электроникой для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенных для записи только цифровых данных

II.17.2.1.6.

II.17.2.1.7.

II.17.2.1.8.

II.17.2.2.

II.17.2.3.

II.17.2.4.

II.17.2.4.1.

II.17.2.4.2.

II.17.2.5.

II.17.2.6.

II.17.2.6.1.

II.17.2.6.2.

II.17.2.6.3.

___________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.2.6. - II.17.2.6.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, в которой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты

II.17.2.7.

II.17.2.8.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.2.8. не распространяется на конструкцию и технологию производства сетевых анализаторов с качающейся частотой, рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые не имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления

II.17.2.9.

II.17.2.10.

II.17.2.11.

II.17.2.12.

II.17.2.12.1.

II.1.2.12.2.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.12.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства рубидиевых эталонов, не предназначенных для космического применения

II.17.2.13.

II.17.2.14.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.2.14. не распространяется на конструкцию и технологию производства эмуляторов, спроектированных под семейство, содержащее хотя бы один прибор, на который не распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.

II.17.2.15.

II.17.3.

II.17.3.1.

II.17.3.1.1.

II.17.3.1.2.

II.17.3.1.3.

II.17.3.2.

II.17.3.3.

II.17.3.3.1.

II.17.3.3.2.

II.17.3.4.

II.17.3.5.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.5. не распространяется на конструкцию и технологию производства автоматических робототехнических систем обработки пластин, не предназначенных для работы в вакууме

II.17.3.6.

II.17.3.7.

II.17.3.7.1.

II.17.3.7.1.1.

II.17.3.7.1.2.

II.17.3.7.1.3.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.7.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства установок многократного совмещения и экспонирования, имеющих длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше

II.17.3.7.2.

II.17.3.7.2.1.

II.17.3.7.2.2.

II.17.3.7.2.3.

II.17.3.8.

II.17.3.9.

II.17.3.9.1.

II.17.3.9.2.

II.17.3.10.

II.17.3.11.

II.17.3.12.

II.17.3.12.1.

II.17.3.12.2.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытанной: сборок или класса сборок для бытовой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экспортному контролю

II.17.3.12.3.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний микроволновых интегральных схем, для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц

II.17.3.12.4.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства сканирующих электронных микроскопов, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов

II.17.3.13.

II.17.3.14.

II.17.3.14.1.

II.17.3.14.2.

II.17.3.14.3.

______________ Примечания:

1. Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения с целью воплощения структур на фотошаблонах в конкретные топологические структуры проводников, диэлектриков или полупроводников

2. Экспортный контроль по пунктам 11.17.3.14. - 11.17.3.14.3. не распространяется на программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации, создания магнитных лент для верификации топологии или формирования рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология

II.17.4.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.4.-II.17.4.20.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства: РЛС с активным ответом; автомобильных РЛС для предотвращения столкновений; дисплеев и мониторов, используемых для контроля воздушного движения, имеющих разрешение не более 12 элементов на мм

II.17.4.1.

II.17.4.2.

II.17.4.3.

II.17.4.4.

II.17.4.5.

II.17.4.6.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.6. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры РЛС точной посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и метеорологических (погодных) РЛС

II.17.4.7.

II.17.4.8.

II.17.4.9.

_________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.9. не распространяется на конструкцию и технологию производства наземных РЛС наблюдения рыбных косяков

II.17.4.10.

II.17.4.11.

II.17.4.11.1.

II.17.4.11.2.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.4.11. - II.17.4.11.2 не распространяется на конструкцию и технологию производства ЛИДАРов, специально спроектированных для метеорологических наблюдений

II.17.4.12.

II.17.4.13.

II.17.4.14.

II.17.4.14.1.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства средств выдачи сигнала для предупреждения столкновений системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС

II.17.4.14.2.

II.17.4.14.3.

II.17.4.14.4.

_______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства систем, оборудования и узлов для контроля морского движения

II.17.4.15.

II.17.4.16.

II.17.4.17.

II.17.4.17.1.

II.17.4.17.2.

II.17.4.17.3.

II.17.4.18.

II.17.4.19.

II.17.4.20.

II.17.4.20.1.

II.17.4.20.2.

II.17.5.

II.17.5.1.

II.17.5.1.1.

II.17.5.1.2.

II.17.5.1.3.

_______________ Примечания:

1. Пункт II.17.5.1.3. применяется только в отношении конструкции и технологии производства электронной аппаратуры

2. Пункты II.17.5.1.2. и II.17.5.1.3. не применяются в отношении конструкции и технологии производства бортовой аппаратуры спутников

II.17.5.2.

II.17.6.

II.17.6.1.

________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и функционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения

II.17.6.2.

II.17.6.3.

II.17.6.3.1.

II.17.6.3.2.

II.17.6.3.3.

II.17.6.4.

II.17.6.4.1.

II.17.6.4.2.

II.17.6.4.3.

II.17.6.4.4.

II.17.6.4.5.

II.17.6.5.

II.17.6.5.1.

II.17.6.5.2.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.5.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства радиоаппаратуры, рассчитанной на гражданское применение, функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответствии с рекомендациями Международного союза электросвязи

II.17.6.6.

_____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.6. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения

II.17.6.7.

II.17.6.7.1.

II.17.6.7.2.

II.17.6.7.3.

II.17.6.8.

II.17.6.9.

II.17.6.10.

II.17.6.10.1.

II.17.6.10.2.

II.17.6.11.

II.17.6.11.1.

II.17.6.11.2.

II.17.6.11.3.

II.17.7.

II.17.8.

II.17.8.1.

II.17.8.2.

II.17.8.3.

II.17.8.4.

II.17.8.5.

II.17.8.6.

II.17.8.7.

II.17.8.8.

II.17.8.9.

II.17.8.10.

II.17.8.11.

II.17.9.

II.17.10.

II.17.11.

11.17.12.

II.17.13.

II.17.14.

II.17.15.

II.17.16.

II.17.17.

II.17.18.

II.17.19.

II.17.20.

II.17.21.

II.17.22.

II.17.23.

II.17.23.1.

II.17.23.2.

II.17.23.3.

II.17.23.4.

II.17.23.5.

II.17.23.6.

II.17.23.7.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.23.7. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры специального подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих

II.17.23.8.

II.17.23.9.

II.17.23.10.

II.17.23.11.

II.17.23.12.

II.17.23.13.

II.17.23.14.

II.17.24.

II.17.25.

II.17.26.

II.17.27.

II.17.28.

II.17.29.

II.17.30.

II.17.31.

II.17.31.1.

II.17.31.2.

II.17.31.3.

II.17.31.4.

II.17.31.5.

II.17.31.5.1.

II.17.31.5.2.

II.17.31.6.

II.17.31.7.

II.17.31.8.

_______________ Примечание: Пункт II.29.31.8. не распространяется на конструкцию на технологию производства рабочих станций, созданных и ограниченных графическим искусством (например, полиграфией, книгопечатанием) или отображением двумерных векторов

II.17.31.9.

______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.31.9. не распространяется на конструкцию на технологию производства дисплеев или мониторов, не спроектированных специально для ЭВМ

II.17.31.10.

II.17.32.

II.17.33.

II.17.33.1.

II.17.33.2.

II.17.33.3.

II.17.34.

II.17.35.

II.17.36.

II.17.37.

II.17.38.

II.17.38.1.

II.17.38.2.

II.17.38.3.

II.17.38.4.

II.17.38.5.

________________

Оглавление